（原标题：被“悲伤”的半导体龙头）

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三星和英特尔的日子这两年齐不太好过。

三星2023年财报中，该年商业利润为6.54万亿韩元，比上财年减少85％，利润水平创下了15年来新低，尤其是三星的半导体部门，虽然在第四季度耗损收窄，但2023年三星半导体业务全年耗损仍高达14.88万亿韩元，算作对比，2022年同期盈利23.82万亿韩元，差距高达近40万亿韩元。

隔邻英特尔也没好到何处去，英特尔2023年营收为542.3亿好意思元，较2022年的630.5亿好意思元着落14%，净利润为16.89亿好意思元，相较2022年的80.14亿好意思元暴跌78.92%。

要知说念，三星和英特尔在参加最近几年，一直在半导体市集里争着第一和第二的位置，两位当了二十余年的霸主，如今却好像走在一条下坡路上。

是半导体下行周期使然，如故挑战者在撼动它们曾经稳操契约的城墙呢？如故半导体龙头这个位置曾经被“悲伤”了？

AMD和英特尔

关于AMD来说，21世纪的头十年阐扬得休戚各半。

在AMD第二任CEO鲁毅智的主导下，AMD选拔了自研AMD64架构，并于2003年推出头向干事器和责任站的Opteron (皓龙) 处理器、面向台式电脑和条记簿电脑的 AMD 速龙64 处理器以及提供影院级别计较性能的速龙64 FX处理器，由于英特尔在安腾(Itianium)架构的判断不实，AMD一度在和英特尔处理器的竞争中占得优势。

但亦然在鲁毅智的主导下，2006年，AMD晓示以54亿好意思元（以42亿好意思元现款和5700万股AMD庸俗股）并购显卡厂商ATI，AMD市值此时市值仅有88亿好意思元傍边，为了凑够42亿好意思元现款，AMD还向摩根士丹利举债借了25亿好意思元，最终完成了这笔纷乱的收购。

CPU＋GPU的将来愿景看似好意思好，但不胜一击的AMD很快就遭遇了浩劫题，一边是英特尔，一边是英伟达，两线作战的AMD根底无力抵牾来自这两家的迅猛攻势，变卖各式部门，出售晶圆厂， K10、推土机、打桩机、压路机，各种CPU架构比比皆是，但一直难有起色。

AMD的寥寂，让英特尔过上了好日子。2006年，AMD处理器在x86干事器市集的份额曾达25%，但到2014年，已缩减到不足3%，而英特尔此时险些把持了通盘干事器市集。至于破钞端，英特尔也占据了出动电脑芯片90%的市集份额，桌面电脑芯片83%的市集份额。

从2007年到2016年这十年时辰，是英特尔大把收钱的时期，无论是毛利率如故净利率齐高于英伟达与AMD，这如故竖立在它的营收边界广大于其他两家的基础之上的，虽然英特尔错过了手机芯片的风口，但它似乎光靠干事器和破钞市集，就曾经能安枕而卧。

2009 年至 2012 年，英特尔在CPU方面大发神威，基本上将AMD赶出了干事器市集，英特尔也因此得到了巨大的订价权和利润权，OEM厂商们只可看英特尔的形状度日。

这种躺着数钱的生存天然好意思好，但也带来了新的问题，一朝有具备优势的竞争敌手出现，被英特尔视为钱袋子的OEM就会转投另一家厂商，这一伏笔早已埋下，即使英特尔莫得犯下10nm和7nm制程工艺上的不实，高达97%的干事器市集份额也不会保抓更万古辰。

2017 年 2 月 22 日，AMD新任CEO苏姿丰在发布会上公布了自 K8 时期之后最令东说念主印象真切的处理器——锐龙，其中包括 1800X、1700X 和 1700 三款处理器，在破钞级市集打响了第一枪，虽然它们的性能莫得透彻赶上英特尔，但却有一个英特尔无法相比的优点——低廉，研讨定位的锐龙只卖酷睿的一半价钱，试问又有哪一位破钞者不会心动呢？

相似的情况出当今了干事器市集当中，AMD在2017年6月负责发布了面向干事器市集的第一代EPYC(霄龙)处理器，凭借多核遐想、PCIe 彭胀选项以及原始内存带宽等优势，一扫此前在干事器市集的暗中。

相较于纸面上的本领优势，主要 OEM 厂商在展会上对 AMD EPYC 的强项援救，才让更多东说念主意志到，干事器市集的风向变了。苏姿丰在发布会上与惠普奉行副总裁兼总司理 Antonio Neri 共同展示了基于 EPYC 的新式惠普干事器以及与英特尔 Xeon 平台相比在云干事、软件界说存储和数据分析方面的具体优势。

此外，戴尔/EMC干事器总裁兼总司理 Ashley Gorakhpurwalla 与 AMD 企业、镶嵌式和半定制部门高档副总裁兼总司理 Forrest Norrod还共同推出了戴尔/EMC PowerEdge 干事器，并展示了 AMD 的一些新安全加密编造化本领，以及 EPYC 在戴尔/EMC 第 14代PowerEdge 干事器中具有更高中枢数和更天真彭胀选项的单插槽干事器优势。

不仅是惠普和戴尔，AMD还得到了孤立硬件和软件供应商的援救，如 SuperMicro、Xilinx、VMWare、Red Hat 和 Microsoft 等也齐纷纷加入其中，AMD从这场发布会运行，负责打响了干事器领域的反击战。

对英特尔来说，这险些是一个死局，在先进制程和出动市集上的失利虽然让它嗅觉有些不爽，但在干事器市集上的节节溃退，才让这位霸主信得过感受到了痛彻情愫。

2021年2月，帕特·基辛格上任英特尔第八任CEO，履历了创举东说念主戈登-摩尔（Gordon Moore）和安迪-格鲁夫（Andy Grove）的他是一位本领老兵，他曾在英特尔鞭策了症结行业本领（如 USB 和 Wi-Fi）的创造，还在酷睿和至强系列中阐扬了症结作用。

他淡薄了在四年内达成五个工艺节点的方针，将来将和台积电和三星在先进制程代工市集中伸开竞争，以致可能有契机占据较大份额，但关于英特尔来说，跟着AMD和Arm的崛起，以及更多云干事厂商选拔自研芯片，昔时它在干事器市集里躺着收货的时光，注定只可成为一种好意思好回忆。

当今的英特尔，想要归附往日的光辉，只可把但愿委用于AMD、英伟达和台积电等敌手的集体寥寂，但这显着是不可能的，即就是归附该有的营收和盈利水平，也要付出更多的悉力才行，就像数年前的AMD一样，英特尔也要走一条漫长而又不幸的坎坷之路。

三星和海力士

对比英特尔，三星半导体的业务要显得愈加驳杂，从手机处理器到代工场，从影像传感器到DRAM和NAND，纷乱的帝国让它一度特出英特尔，问鼎环球半导体市集。

如今的它却节节溃退，以致在内存市集上险些被SK海力士所特出，这背后天然有好多成分影响，如5nm制程代工的黯然，以及猎户座处理器遐想的失败，但最致命的就怕如故HBM。

HBM的历史不错追想到十多年前，期货配资公司AMD在收购ATI后，运行计划更先进的显存本领，那时的GDDR堕入到了内存带宽和功耗适度的瓶颈，而AMD就遐想用先进的TSV本领打造立体堆栈式的显存颗粒，让“平房”进化为“楼房”，通过硅中介层让显存一语气至GPU中枢，终末封装到沿途，达成显存位宽和传输速率的提高。

那时AMD的合营伙伴就是SK海力士，经过多年研发后，两家厂商集会推出了初代HBM居品，这一居品也被定为了JESD235行业模范，初代HBM的责任频率约为1600 Mbps，漏极电源电压为1.2V，芯片密度为2Gb（4-hi），带宽达4096bit，远超GDDR5的512bit。

新本领的降生并非一帆风顺，AMD后续在破钞端显卡里取消了HBM显存，而海力士也莫得因为这一新内存模范而收货，此时三星却找到了契机，通过这一通用的行业模范，三星成为了英伟达Tesla P100显卡中HBM2显存的供应商，这也成了三星的高光时刻之一。

但三星在HBM上的优势并未保抓多久，2021 年 10 月，海力士最初量产HBM的第四代居品——HBM3，限制刻下，SK海力士险些包揽了英伟达的HBM3的供应，曾经更快量产HBM2的三星，却还莫得显豁的HBM3的供应阐扬。

问题出在了何处呢？

底本在HBM这项本领上，三星和SK海力士各自选择不同的封装轮番。SK的选拔是回流焊成型底部填充 (MR-MUF) 轮番，在烤箱中同期烘烤通盘层，而三星则选择了热压缩非导电膜 (TC NCF) 本领，在每层之间用薄膜堆叠芯片。

SK海力士的 MR-MUF 本领可一次性封装多层 DRAM。在 DRAM 下方，灵验于一语气芯片的铅基“凸块”，MR 本领波及加热并同期融解通盘这些凸块以进行焊合。一语气通盘 DRAM 后，将奉行称为 MUF 的工艺来保护芯片，通过注入一种以出色的散热性而着名的环氧密封化合物来填充芯片之间的错误并将其封装起来，然后通过施加热量和压力使组件变硬，从而完成 HBM。SK海力士将此流程刻画为“像在烤箱中烘烤一样均匀地施加热量并一次性粘合通盘芯片，使其瓦解而高效。”

三星的 TC NCF 被称为“非导电薄膜热压”，与MR-MUF略有不同。其每次堆叠芯少顷，齐会在各层之间放弃一层非导电粘合膜。该膜是一种团聚物材料，用于将芯片互相阻扰，并保护一语气点免受冲击。三星徐徐裁减了 NCF 材料的厚度，将其降至 12 层第五代 HBM3E 的 7 微米 (μm)。三星暗意：“这种轮番的优点是不错最大限制地减少跟着层数增多和芯片厚度减小而可能发生的翘曲，使其更适合构建更高的堆栈。”

但三星显着出现了判断不实，TC NCF远不如MR-MUF来得瓦解，据外洋分析师暗意，三星HBM3芯片的分娩良率约为10%~20%，而SK海力士的HBM3良率可达60%~70%。

也有业内东说念主士暗意：“三星似乎在用于 HBM 封装的 TC-NCF 工艺中濒临产能问题，只是因为他们在内存半导体领域的主导地位，就以为他们的本领天生就适用，这种主见曾经落伍了。三星的HBM3E样品的功耗是SK海力士的两倍多，这些问题导致东说念主们月旦其性能相干于功耗太低。”

而路透社在5月24日报说念也印证了这些问题，据知情东说念主士称，三星最新的HBM芯片尚未通过英伟达的测试，原因是存在发烧和功耗问题。这些问题不仅影响到了三星的 HBM3 芯片，也影响到这家韩国科技巨头遐想在本年推向市集的HBM3E 芯片。

韩国成均馆大学化学工程系的权锡俊种植暗意：“TSV（硅通孔）关于 8 层及以上的 HBM 封装至关紧要，但三星尚未妥善管束这一级别的量产质地适度，导致即使在 12 层时也会出现预期的挑战。”他补充说念， “尽管三星的 TC-NCF 系列在表面上跟着多层的立异而有所改善，但达成高良率封装仍然具有挑战性，尤其是在更高的层数中。”

在市集判断上的不实很容易措置，但在本领会线上的不实就怕就没那么容易更正了，这也可能是三星5月21日晓示半导体部门紧要换帅的原因之一，新任负责东说念主全永鉉之前就处理过SDI在三星Note7手机电板发烧发火的危急，让有半导体教育的他来当救火队员，算是一个相对合适的选拔。

另外，凭据 Merits Securities 的数据，本年第一季度，SK 海力士占据了 59% 的 HBM 市集份额，而三星电子占据了 37%，但三星占据这些市集份额并非是它的居品得到了几许客户的招供，而是海力士承载不了太多的HBM订单。

在HBM上的失败以致导致了三星电子半导体部门里面出现了“SK海力士分包商”这么的的自嘲说法。"有好多东说念主说，SK 海力士曾经成为 HBM 市集的环球主要供应商，而三星曾经腐化到只可剿袭 SK 海力士无法完成的富裕订单的境地，"三星 DS（开采措置决策）部门的又名职工说，“我时时和共事们辩驳，昔日半导体强国的好日子曾经人面桃花了，穷乏率领力，无法解读市集趋势并为之作念好准备，这才是问题场所。”

在各式关系三星HBM不能的音信漫天飞确当下，三星所发表的“正在按运筹帷幄告成进行”的声明，几许显得有些煞白无力。

数十年来一直在内存中处于率领地位的三星，因本领的不实而被海力士拉近了差距，以致可能因此而导致寥寂，跟着它的代工竞争敌手台积电与SK海力士签署HBM相干协议，运行进攻内存半导体领域，这种危急感显着会进一步加剧。

在AI时期里， HBM这么的定制内存成为了内存症结，即使是相对症结的好意思光，近两年也开足了马力追逐，曾经在传统的DRAM和NAND里怒斥风浪的三星，却显得有些措手不足，它的好日子曾经经到头了吗？

这两位半导体市集的霸主，一位折戟于干事器，一位败走于HBM，倘若把时辰倒了债2016年傍边，那时的东说念主们就怕不会肯定，它们居然会犯下如斯显豁的畸形。

奈何援助损失，保管我方的霸主地位，这是摆在英特尔CEO和三星半导体职业部长眼前的试验问题，不外在措置之前，奈何保证不会习故守常，粗略是两家乃至更多数导体公司所需要念念考的。

终末，多说一句，要是说半导体龙头的位置确凿被悲伤了，我运行动最近登顶的英伟达担忧了？

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